Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
6.22mm
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 10,05
€ 2,01 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,46
€ 2,492 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 10,05
€ 2,01 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,46
€ 2,492 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ταινία |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,01 | € 10,05 |
| 50 - 120 | € 1,93 | € 9,65 |
| 125 - 245 | € 1,78 | € 8,90 |
| 250 - 495 | € 1,67 | € 8,35 |
| 500+ | € 1,59 | € 7,95 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
6.22mm
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


