Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 2,40
€ 2,40 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,98
€ 2,98 Μονάδας Με Φ.Π.Α
1
€ 2,40
€ 2,40 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,98
€ 2,98 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,40 |
| 10 - 49 | € 2,19 |
| 50 - 99 | € 2,11 |
| 100 - 249 | € 1,88 |
| 250+ | € 1,78 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


