Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
6.73mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,23
€ 1,23 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,53
€ 1,53 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 1,23
€ 1,23 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,53
€ 1,53 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
6.73mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


