N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFZ14PBF
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.41mm
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,41
Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,75
Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 1,41
Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,75
Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 1,41 |
10 - 49 | € 1,26 |
50 - 99 | € 1,21 |
100 - 249 | € 1,11 |
250+ | € 1,03 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.41mm
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος