Vishay N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRL510PBF

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,59
€ 1,59 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,97
€ 1,97 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 1,59
€ 1,59 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,97
€ 1,97 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 1,59 |
10 - 49 | € 1,15 |
50 - 99 | € 1,10 |
100 - 249 | € 1,02 |
250+ | € 0,89 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος