Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRLD110PBF

Κωδικός Προϊόντος της RS: 301-338PΚατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: IRLD110PBF
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

HVMDIP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Typical Gate Charge @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

6.29mm

Transistor Material

Si

Height

3.37mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRLD110PBF
Επιλέγξτε συσκευασία

Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

5

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRLD110PBF

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Επιλέγξτε συσκευασία

Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

5

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

HVMDIP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Typical Gate Charge @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

6.29mm

Transistor Material

Si

Height

3.37mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more