Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
760 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
3.7mm
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Height
1.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 89,00
€ 0,89 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 110,36
€ 1,104 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
€ 89,00
€ 0,89 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 110,36
€ 1,104 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,89 | € 8,90 |
| 250 - 490 | € 0,84 | € 8,40 |
| 500 - 990 | € 0,81 | € 8,10 |
| 1000+ | € 0,68 | € 6,80 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
760 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
3.7mm
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Height
1.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


