Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Height
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 10,70
€ 2,14 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,27
€ 2,654 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 10,70
€ 2,14 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,27
€ 2,654 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 45 | € 2,14 | € 10,70 |
50 - 120 | € 1,72 | € 8,60 |
125 - 245 | € 1,64 | € 8,20 |
250 - 495 | € 1,46 | € 7,30 |
500+ | € 1,36 | € 6,80 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Height
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος