Vishay N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRLU110PBF

Κωδικός Προϊόντος της RS: 708-4884Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: IRLU110PBF
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Width

2.38mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Height

6.22mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 10,70

€ 2,14 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 13,27

€ 2,654 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α

Vishay N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRLU110PBF
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 10,70

€ 2,14 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 13,27

€ 2,654 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α

Vishay N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRLU110PBF
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
5 - 45€ 2,14€ 10,70
50 - 120€ 1,72€ 8,60
125 - 245€ 1,64€ 8,20
250 - 495€ 1,46€ 7,30
500+€ 1,36€ 6,80

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Width

2.38mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Height

6.22mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more