Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 10,95
€ 2,19 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,58
€ 2,716 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 10,95
€ 2,19 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,58
€ 2,716 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,19 | € 10,95 |
| 50 - 120 | € 1,78 | € 8,90 |
| 125 - 245 | € 1,70 | € 8,50 |
| 250 - 495 | € 1,49 | € 7,45 |
| 500+ | € 1,41 | € 7,05 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


