Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 58,50
€ 0,78 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 72,54
€ 0,967 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) Με Φ.Π.Α
75
€ 58,50
€ 0,78 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 72,54
€ 0,967 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) Με Φ.Π.Α
75
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
75 - 75 | € 0,78 | € 58,50 |
150 - 300 | € 0,76 | € 57,00 |
375+ | € 0,73 | € 54,75 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
6.22mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος