Vishay N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB IRLZ14PBF

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
4.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.4 nC @ 5 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,64
€ 1,64 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,03
€ 2,03 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 1,64
€ 1,64 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,03
€ 2,03 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,64 |
| 10 - 49 | € 1,59 |
| 50 - 99 | € 1,20 |
| 100 - 249 | € 1,10 |
| 250+ | € 1,02 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
4.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.4 nC @ 5 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος

