Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
50A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220AB
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.028Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
66nC
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
Single
Length
14.4mm
Height
6.48mm
Standards/Approvals
RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
50
P.O.A.
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
50A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220AB
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.028Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
66nC
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
Single
Length
14.4mm
Height
6.48mm
Standards/Approvals
RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China


