P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1441EDH-T1-GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 812-3079PΚατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SI1441EDH-T1-GE3
brand-logo
View all in MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

2.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 8 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 0,63

Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 0,781

Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1441EDH-T1-GE3
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 0,63

Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 0,781

Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1441EDH-T1-GE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Αγοράστε μαζικά

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Καρούλι
20 - 180€ 0,63€ 12,60
200 - 480€ 0,48€ 9,60
500 - 980€ 0,45€ 9,00
1000 - 1980€ 0,40€ 8,00
2000+€ 0,35€ 7,00

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

2.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 8 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more