Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 812-3091Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SI1922EDH-T1-GE3
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

263 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

2

Length

2.2mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

1.6 nC @ 8 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3
P.O.A.Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 21,00

€ 0,42 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 26,04

€ 0,521 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) Με Φ.Π.Α

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 21,00

€ 0,42 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 26,04

€ 0,521 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) Με Φ.Π.Α

Vishay Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3
P.O.A.Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

263 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Number of Elements per Chip

2

Length

2.2mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

1.6 nC @ 8 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3
P.O.A.Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α