N-Channel MOSFET Transistor, 3.1 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2306BDS-T1-E3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 710-4676Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SI2306BDS-T1-E3
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

TO-236

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

47 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

750 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Width

1.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Vishay N-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2304DDS-T1-GE3
€ 0,422Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET Transistor, 3.1 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2306BDS-T1-E3
Επιλέγξτε συσκευασία

P.O.A.

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET Transistor, 3.1 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2306BDS-T1-E3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Vishay N-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2304DDS-T1-GE3
€ 0,422Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

TO-236

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

47 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

750 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Width

1.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Vishay N-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2304DDS-T1-GE3
€ 0,422Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α