Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
51 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.02mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,48
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,595
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
20
€ 0,48
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,595
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
20
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,48 | € 9,60 |
200 - 480 | € 0,45 | € 9,00 |
500 - 980 | € 0,43 | € 8,60 |
1000 - 1980 | € 0,40 | € 8,00 |
2000+ | € 0,38 | € 7,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
51 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.02mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος