N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4178DY-T1-GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 812-3205Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SI4178DY-T1-GE3
brand-logo
View all in MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.5 nC @ 10 V

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 0,76

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 0,942

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4178DY-T1-GE3
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 0,76

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 0,942

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4178DY-T1-GE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Αγοράστε μαζικά

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
20 - 180€ 0,76€ 15,20
200 - 480€ 0,60€ 12,00
500 - 980€ 0,58€ 11,60
1000 - 1980€ 0,50€ 10,00
2000+€ 0,43€ 8,60

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.5 nC @ 10 V

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more