Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ, 140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V, 7.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 16,20
€ 0,81 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,09
€ 1,004 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Standard
20
€ 16,20
€ 0,81 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,09
€ 1,004 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Standard
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,81 | € 16,20 |
200 - 480 | € 0,70 | € 14,00 |
500 - 980 | € 0,68 | € 13,60 |
1000 - 1980 | € 0,63 | € 12,60 |
2000+ | € 0,60 | € 12,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A, 6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ, 140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.78 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V, 7.8 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος