Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
15.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 16,70
€ 1,67 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,71
€ 2,071 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 16,70
€ 1,67 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,71
€ 2,071 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,67 | € 16,70 |
100 - 240 | € 1,62 | € 16,20 |
250 - 490 | € 1,36 | € 13,60 |
500 - 990 | € 1,31 | € 13,10 |
1000+ | € 1,23 | € 12,30 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
15.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος