Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
15.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 10,70
€ 1,07 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,27
€ 1,327 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 10,70
€ 1,07 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,27
€ 1,327 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
15.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


