P-Channel MOSFET, 3.9 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SI7309DN-T1-E3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 710-3386Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SI7309DN-T1-E3
brand-logo
View all in MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

115 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.05mm

Width

3.05mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1.04mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 1,36

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 1,686

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

P-Channel MOSFET, 3.9 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SI7309DN-T1-E3
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 1,36

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 1,686

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

P-Channel MOSFET, 3.9 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SI7309DN-T1-E3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Αγοράστε μαζικά

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
5 - 45€ 1,36€ 6,80
50 - 245€ 0,96€ 4,80
250 - 495€ 0,86€ 4,30
500 - 1245€ 0,73€ 3,65
1250+€ 0,68€ 3,40

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

115 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.05mm

Width

3.05mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1.04mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more