N-Channel MOSFET Transistor, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9410BDY-T1-E3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 710-4777PΚατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SI9410BDY-T1-E3
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Vishay N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
€ 0,583Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET Transistor, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9410BDY-T1-E3
Επιλέγξτε συσκευασία

P.O.A.

Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET Transistor, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9410BDY-T1-E3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Vishay N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
€ 0,583Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Vishay N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
€ 0,583Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α