Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,08
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,339
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
€ 1,08
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,339
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,08 | € 10,80 |
100 - 240 | € 1,03 | € 10,30 |
250 - 490 | € 0,96 | € 9,60 |
500 - 990 | € 0,91 | € 9,10 |
1000+ | € 0,86 | € 8,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος