Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Series
D Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.31mm
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44.4 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.82mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 91,25
€ 3,65 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 113,15
€ 4,526 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) Με Φ.Π.Α
25
€ 91,25
€ 3,65 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 113,15
€ 4,526 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 3,65 | € 91,25 |
| 50 - 100 | € 3,50 | € 87,50 |
| 125+ | € 3,21 | € 80,25 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Series
D Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.31mm
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44.4 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
20.82mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


