Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Series
D Series
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
9 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.51mm
Number of Elements per Chip
1
Width
4.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 39,00
€ 0,78 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 48,36
€ 0,967 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 39,00
€ 0,78 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 48,36
€ 0,967 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,78 | € 39,00 |
| 100 - 200 | € 0,63 | € 31,50 |
| 250+ | € 0,55 | € 27,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Series
D Series
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
104 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
9 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.51mm
Number of Elements per Chip
1
Width
4.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


