Vishay E N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin IPAK SIHU6N80AE-GE3

Name: Vishay E N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin IPAK SIHU6N80AE-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2006869
Availability: LimitedAvailability

Κωδικός Προϊόντος της RS: 200-6869Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SIHU6N80AE-GE3

Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

3.2 A, 5 A

Maximum Drain Source Voltage

850 V

Series

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

0.95 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

€ 40,50

€ 1,62 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 50,22

€ 2,009 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α

Vishay E N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin IPAK SIHU6N80AE-GE3

€ 40,50

€ 1,62 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 50,22

€ 2,009 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α

Vishay E N-Channel MOSFET, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-Pin IPAK SIHU6N80AE-GE3

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Quantity Ποσότητα	Τιμή μονάδας	Per Πακέτο
25 - 25	€ 1,62	€ 40,50
50 - 100	€ 1,25	€ 31,25
125 - 225	€ 1,17	€ 29,25
250 - 600	€ 0,94	€ 23,50
625+	€ 0,91	€ 22,75

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

3.2 A, 5 A

Maximum Drain Source Voltage

850 V

Series

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

0.95 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip