Vishay N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR418DP-T1-GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 814-1275PΚατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SIR418DP-T1-GE3
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

23 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

39 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.26mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

50 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 146,00

€ 1,46 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 181,04

€ 1,81 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Vishay N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR418DP-T1-GE3
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 146,00

€ 1,46 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 181,04

€ 1,81 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Vishay N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR418DP-T1-GE3

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Καρούλι
100 - 240€ 1,46€ 14,60
250 - 490€ 1,33€ 13,30
500 - 990€ 1,31€ 13,10
1000+€ 1,28€ 12,80

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

23 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

39 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

5.26mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

50 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more