Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
39 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.26mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
50 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.12mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 146,00
€ 1,46 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 181,04
€ 1,81 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
€ 146,00
€ 1,46 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 181,04
€ 1,81 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 1,46 | € 14,60 |
| 250 - 490 | € 1,33 | € 13,30 |
| 500 - 990 | € 1,31 | € 13,10 |
| 1000+ | € 1,28 | € 12,80 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
39 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.26mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
50 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.12mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


