Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA00DP-T1-GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 787-9367PΚατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SIRA00DP-T1-GE3
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

147 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.26mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.12mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 167,00

€ 3,34 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 207,08

€ 4,142 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA00DP-T1-GE3
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 167,00

€ 3,34 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 207,08

€ 4,142 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA00DP-T1-GE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Καρούλι
50 - 120€ 3,34€ 16,70
125 - 245€ 3,05€ 15,25
250 - 495€ 2,92€ 14,60
500+€ 2,79€ 13,95

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

147 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.26mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.12mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more