N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 134-9698Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SIRA90DP-T1-RE3
brand-logo
View all in MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

102 nC @ 10 V

Width

5.26mm

Forward Diode Voltage

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.12mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 2,02

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 2,505

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3
Επιλέγξτε συσκευασία

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

5

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5
5€ 10,10
10€ 20,20
15€ 30,30
20€ 40,40
25€ 50,50
30€ 60,60
35€ 70,70
40€ 80,80
45€ 90,90
50€ 87,00
55€ 95,70
60€ 104,40
65€ 113,10
70€ 121,80
75€ 130,50

€ 2,02

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 2,505

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA90DP-T1-RE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

5

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 5
5€ 10,10
10€ 20,20
15€ 30,30
20€ 40,40
25€ 50,50
30€ 60,60
35€ 70,70
40€ 80,80
45€ 90,90
50€ 87,00
55€ 95,70
60€ 104,40
65€ 113,10
70€ 121,80
75€ 130,50

Αγοράστε μαζικά

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
5 - 45€ 2,02€ 10,10
50 - 120€ 1,74€ 8,70
125 - 245€ 1,66€ 8,30
250 - 495€ 1,59€ 7,95
500+€ 1,51€ 7,55

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.15 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

102 nC @ 10 V

Width

5.26mm

Forward Diode Voltage

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.12mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more