Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
PowerPAK 1212-8 Dual
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.167 O, 0.251 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5 V, 2.5 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
PowerPAK 1212-8 Dual
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.167 O, 0.251 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5 V, 2.5 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2