Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISA04DN-T1-GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 768-9307PΚατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SISA04DN-T1-GE3
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

3.1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Width

3.15mm

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

51 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 37,00

€ 1,85 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 45,88

€ 2,294 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISA04DN-T1-GE3
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 37,00

€ 1,85 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 45,88

€ 2,294 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISA04DN-T1-GE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Καρούλι
20 - 98€ 1,85€ 3,70
100 - 198€ 1,70€ 3,40
200 - 498€ 1,62€ 3,24
500+€ 1,54€ 3,08

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

3.1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Width

3.15mm

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

51 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more