N-Channel MOSFET, 2.3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2308CES-T1_GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 180-7396Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SQ2308CES-T1_GE3
brand-logo
View all in MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.164 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

1

Series

TrenchFET

Χώρα Προέλευσης

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 0,45

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 0,558

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 2.3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2308CES-T1_GE3

€ 0,45

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 0,558

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 2.3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2308CES-T1_GE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.164 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

1

Series

TrenchFET

Χώρα Προέλευσης

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more