Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-252AA
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
-1.6V
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2,82
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,497
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2000
€ 2,82
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,497
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-252AA
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
-1.6V