Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
58 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC @ 10 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Taiwan, Province Of China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 5,61
€ 5,61 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,96
€ 6,96 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 5,61
€ 5,61 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,96
€ 6,96 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,61 |
| 10 - 49 | € 5,14 |
| 50 - 99 | € 4,62 |
| 100 - 249 | € 4,31 |
| 250+ | € 3,76 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
58 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC @ 10 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Taiwan, Province Of China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


