Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
85 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
105 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 88,80
€ 8,88 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 110,11
€ 11,01 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
€ 88,80
€ 8,88 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 110,11
€ 11,01 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
|---|---|
| 10 - 49 | € 8,88 |
| 50 - 99 | € 8,54 |
| 100 - 249 | € 8,30 |
| 250+ | € 7,96 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
85 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
105 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


