Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Series
C3M
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
113.5 W
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +19 V
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.21mm
Transistor Material
SiC
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Height
23.6mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.
MOSFET Transistors, Cree Inc.
€ 28,61
€ 28,61 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 35,48
€ 35,48 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 28,61
€ 28,61 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 35,48
€ 35,48 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
|---|---|
| 1 - 24 | € 28,61 |
| 25 - 74 | € 26,52 |
| 75 - 149 | € 26,18 |
| 150+ | € 25,95 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Series
C3M
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
113.5 W
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +19 V
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.21mm
Transistor Material
SiC
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Height
23.6mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


