Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
97 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +18 V
Width
21.1mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.3 nC @ 15 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
5.21mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
€ 61,10
€ 12,22 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 75,76
€ 15,15 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
5
€ 61,10
€ 12,22 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 75,76
€ 15,15 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
5 - 9 | € 12,22 |
10 - 29 | € 12,11 |
30 - 89 | € 11,96 |
90+ | € 11,85 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
97 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +18 V
Width
21.1mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.3 nC @ 15 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
5.21mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.