Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,08
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,099
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
100
€ 0,08
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,099
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
100
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος