Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
PowerDI3333-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Width
3.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.85mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,78
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,967
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
25
€ 0,78
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,967
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
25
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
25 - 375 | € 0,78 | € 19,50 |
400 - 975 | € 0,45 | € 11,25 |
1000+ | € 0,35 | € 8,75 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
PowerDI3333-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Width
3.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.85mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος