Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Series
CoolMOS™
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.041 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
2
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
2
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Series
CoolMOS™
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.041 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon