Ανακοίνωση Εορταστικής Περιόδου

Τα γραφεία μας θα παραμείνουν κλειστά από τις 25 Δεκεμβρίου έως και τις 2 Ιανουαρίου. Σας ευχόμαστε θερμές ευχές για χαρούμενες γιορτές και ένα ευτυχισμένο νέο έτος!

NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23

Κωδικός Προϊόντος της RS: 626-3308Κατασκευαστής: NXPΚωδικός Κατασκευαστή: PMBFJ308,215
brand-logo
Προβολή όλων σε JFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 60mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23
Επιλέγξτε συσκευασία

P.O.A.

NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 60mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more