Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 17mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
CP
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
3pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Height
1.1mm
Width
1.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,20
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,248
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 0,20
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,248
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 17mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
CP
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
3pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Height
1.1mm
Width
1.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.