Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
PQFN8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 10 V
Height
0.75mm
Series
PowerTrench
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,56
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,934
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
€ 1,56
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,934
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
PQFN8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 10 V
Height
0.75mm
Series
PowerTrench
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Λεπτομέρειες Προϊόντος