Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiMaximum Continuous Collector Current
64 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Package Type
TO-264
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
20 x 5 x 26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 15,33
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 19,01
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
1
€ 15,33
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 19,01
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
1
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 12 | € 15,33 |
13+ | € 14,06 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiMaximum Continuous Collector Current
64 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Package Type
TO-264
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
20 x 5 x 26mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.