Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Mounting Type
Through Hole
Package Type
TO-92
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Dimensions
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Height
4.58mm
Width
3.86mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.58mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,25
Μονάδας (Σε μία Σακούλα των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,31
Μονάδας (Σε μία Σακούλα των 1000) Με Φ.Π.Α
1000
€ 0,25
Μονάδας (Σε μία Σακούλα των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,31
Μονάδας (Σε μία Σακούλα των 1000) Με Φ.Π.Α
1000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Mounting Type
Through Hole
Package Type
TO-92
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Dimensions
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Height
4.58mm
Width
3.86mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.58mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.