Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,23
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,285
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) Με Φ.Π.Α
Standard
50
€ 0,23
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,285
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) Με Φ.Π.Α
Standard
50
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
50 - 100 | € 0,23 | € 11,50 |
150 - 250 | € 0,10 | € 5,00 |
300 - 550 | € 0,10 | € 5,00 |
600 - 1150 | € 0,10 | € 5,00 |
1200+ | € 0,10 | € 5,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος