Dual N-Channel MOSFET, 74 A, 80 V, 8-Pin DFN onsemi NVMFD6H840NLWFT1GOS
![brand-logo](https://media.rs-online.com/brand/M4039-01.jpg)
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Channel Mode
Enhancement
Automotive Standard
AEC-Q101
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
2
Transistor Configuration
Dual
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Pin Count
8
Forward Diode Voltage
1.2V
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Height
1.05mm
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Width
5.1mm
Length
6.1mm
Maximum Continuous Drain Current
74 A
Package Type
DFN
Maximum Drain Source Resistance
8.8 mΩ
Batteries
3 x AAA BatteryTypical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2,07
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,567
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1500
![sticker-730](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/Greece Label 3.jpg)
€ 2,07
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,567
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1500
![sticker-730](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/Greece Label 3.jpg)
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Channel Mode
Enhancement
Automotive Standard
AEC-Q101
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
2
Transistor Configuration
Dual
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Pin Count
8
Forward Diode Voltage
1.2V
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Height
1.05mm
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Width
5.1mm
Length
6.1mm
Maximum Continuous Drain Current
74 A
Package Type
DFN
Maximum Drain Source Resistance
8.8 mΩ
Batteries
3 x AAA BatteryTypical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V