Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-883
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
4pF
Dimensions
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Length
1.08mm
Height
0.41mm
Maximum Power Dissipation
100 mW
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
0.68mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,28
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,347
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
€ 0,28
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,347
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,28 | € 14,00 |
250 - 950 | € 0,13 | € 6,50 |
1000 - 2450 | € 0,10 | € 5,00 |
2500+ | € 0,10 | € 5,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-883
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
4pF
Dimensions
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Length
1.08mm
Height
0.41mm
Maximum Power Dissipation
100 mW
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
0.68mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.