Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Package Type
DIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
16
Transistor Configuration
Common Emitter
Configuration
Array 7
Number of Elements per Chip
7
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Height
3.74mm
Width
6.5mm
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Dimensions
19.4 x 6.5 x 3.74mm
Maximum Operating Temperature
+85 °C
Length
19.4mm
Base Current
1.35mA
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Darlinton Transistor Arrays, ROHM
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Package Type
DIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
16
Transistor Configuration
Common Emitter
Configuration
Array 7
Number of Elements per Chip
7
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Height
3.74mm
Width
6.5mm
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Dimensions
19.4 x 6.5 x 3.74mm
Maximum Operating Temperature
+85 °C
Length
19.4mm
Base Current
1.35mA
Λεπτομέρειες Προϊόντος