Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Package Type
SOT-32
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
12.5 W
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Package Type
SOT-32
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
12.5 W
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.