Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
10A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Length
6.6mm
Series
H
Automotive Standard
No
Energy Rating
221mJ
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 65,00
€ 0,65 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 80,60
€ 0,806 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
€ 65,00
€ 0,65 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 80,60
€ 0,806 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
10A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Length
6.6mm
Series
H
Automotive Standard
No
Energy Rating
221mJ
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
