
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
42A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Series
MDmesh M5
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
63mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Forward Voltage Vf
1.3V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
98nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
No
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 88,80
€ 8,88 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 110,11
€ 11,01 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
€ 88,80
€ 8,88 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 110,11
€ 11,01 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
42A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Series
MDmesh M5
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
63mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Forward Voltage Vf
1.3V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
98nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
No
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.